Transistor canal P IRF9530NPBF, TO220AB, -100V, 14A, -100V. Boîtier: TO220AB. Tension drain - source (Vds): -100V. Courant de drain maxi: 14A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 760pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Dissipation de puissance maxi: 79W. Dissipation maximale Ptot [W]: 79W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 14A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF9530. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Puissance: 75W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: P. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Vdss (tension drain à source): -100V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 17:57