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SI2315BDS-T1-E3

Transistor canal P SI2315BDS-T1-E3, SOT-23, -12V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 715pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: M5. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.9V...

0.74€

Quantité en stock: 12623

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SI2319CDS-T1-GE3

Transistor canal P SI2319CDS-T1-GE3, SOT-23, -40V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 595pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: P7. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V...

0.78€

Quantité en stock: 2000

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SI2323DS-T1-E3

Transistor canal P SI2323DS-T1-E3, SOT-23, -20V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1020pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -4.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 71 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: D3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.0V...

2.36€

Quantité en stock: 3353

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SI2333CDS-T1-GE3

Transistor canal P SI2333CDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1225pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -7.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V...

1.18€

Quantité en stock: 2126

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SI2333DDS-T1-GE3

Transistor canal P SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1275pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: O4. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1V...

1.47€

Quantité en stock: 8703

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SI3441BD

Transistor canal P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. Id (T=25°C): 2.45A. Idss (maxi): 5nA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Tension Vds(max): 20V. Dissipation de puissance maxi: 1nA. Id (T=100°C): 1.95A. Id(imp): 16A. Idss (min): 1nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.45V...

0.32€

Quantité en stock: 2713

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SI4401BDY

Transistor canal P SI4401BDY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.9A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Td(off): 97 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 35ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.87€

Quantité en stock: 82

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SI4401DY

Transistor canal P SI4401DY, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 40V. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.9A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Td(off): 55 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

3.19€

Equivalence disponible
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SI4425BDY

Transistor canal P SI4425BDY, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 11.4A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id (T=100°C): 9.1A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 41ms. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.70€

Quantité en stock: 36

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SI4431BDY-T1-E3

Transistor canal P SI4431BDY-T1-E3, SO8, MS-012, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1600pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4431BDY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

1.74€

Quantité en stock: 18549

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SI4431CDY-T1-GE3

Transistor canal P SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1006pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4431CDY-T1-GE3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V...

1.03€

Quantité en stock: 2286

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SI4435BDY

Transistor canal P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.6A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.69€

Quantité en stock: 2093

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SI4435DDY

Transistor canal P SI4435DDY, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 50nC. Courant de drain: -6.5A, -8.1A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 5W. RoHS: oui. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: P-MOSFET...

1.52€

Quantité en stock: 10

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SI4435DY

Transistor canal P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 8.8A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Technologie: D-S-MOSFET. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

1.21€

Quantité en stock: 16

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SI4925BDY

Transistor canal P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.1A. Idss (maxi): 7.1A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Id (T=100°C): 5.7A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P...

1.64€

Quantité en stock: 2249

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SI4925DDY

Transistor canal P SI4925DDY, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 7.3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 5W. Fonction: td(on) 10ns, td(off) 45ns. Id (T=100°C): 5.9A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.024 Ohms. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Type de canal: P...

1.37€

Quantité en stock: 48

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SI4948BEY

Transistor canal P SI4948BEY, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: P. Unité de conditionnement: 2500...

1.30€

Quantité en stock: 264

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SI4948BEY-T1-GE3

Transistor canal P SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4948BEY-T1-GE3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

2.36€

Quantité en stock: 238

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SI9407BDY

Transistor canal P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 4.7A. Idss (maxi): 10nA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. C (in): 600pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 3.2W. Id (T=100°C): 3.8A. Id(imp): 30A. Idss (min): 1nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.11€

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SI9435BDY

Transistor canal P SI9435BDY, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 5.3A. Idss (maxi): 5.3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: transistor MOSFET canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Technologie: V-MOS. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

1.52€

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SI9953DY

Transistor canal P SI9953DY, SO8, MS-012, -20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: SI9953DY. Nombre de bornes: 8. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4.5V...

0.49€

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SPD08P06P

Transistor canal P SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Id (T=100°C): 6.2A. Id(imp): 35A. Idss (min): 0.1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Spec info: ID pulse 35.2A. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60us. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

1.29€

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SPP08P06P

Transistor canal P SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO220-3. Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Id (T=100°C): 6.2A. Id(imp): 32.5A. Idss (min): 0.1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.46€

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SPP18P06P

Transistor canal P SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 18.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 230pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 81W. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id (T=100°C): 13.2A. Id(imp): 74.8A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 18P06P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.102 Ohms. Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.7V...

2.66€

Quantité en stock: 12

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