Transistor canal P SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO220-3. Tension Vds(max): 60V. C (in): 335pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 42W. Fonction: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Id (T=100°C): 6.2A. Id(imp): 32.5A. Idss (min): 0.1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33