Transistor canal P SI4431BDY-T1-E3, SO8, MS-012, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1600pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4431BDY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:47