Transistor canal P SI4431CDY-T1-GE3, SO8, MS-012, -30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1006pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4431CDY-T1-GE3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.5V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31