Transistor canal P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Id (T=100°C): 5.6A. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Td(off): 110 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14