Transistor canal P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. Id (T=25°C): 4.7A. Idss (maxi): 10nA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 60V. C (in): 600pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 3.2W. Id (T=100°C): 3.8A. Id(imp): 30A. Idss (min): 1nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:14