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IRL530N

Transistor canal N IRL530N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.06€

Quantité en stock: 40

IRL530NPBF

Transistor canal N IRL530NPBF, TO-220AB, 100V, 0.10 Ohms, 100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Charge: 22.7nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain maxi: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Courant de drain: 17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 79W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL530NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 79W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 100M Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.9K/W. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.77€

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IRLIB4343

Transistor canal N IRLIB4343, 13A, 19A, 25uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 55V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 740pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Applications d'amplification optimisées pour l'audio de classe D. Id(imp): 80A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 23 ns. Td(on): 5.7 ns. Technologie: Audio numérique HEXSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

40.56€

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IRLL2703

Transistor canal N IRLL2703, 3.1A, 5.5A, 250uA, 0.45 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 3.1A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 530pF. C (out): 230pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Id(imp): 16A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 6.9ns. Td(on): 7.4 ns. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.4V. Vgs(th) min.: 1V...

1.05€

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IRLML2502

Transistor canal N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 4.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 740pF. C (out): 90pF. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: 4.2A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 20V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) min.: 0.6V...

0.23€

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IRLR3110ZPBF

Transistor canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3980pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Equivalences: IRLR3110ZPbF. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 250A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: ±16. Trr Diode (Min.): 34-51 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

2.37€

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IRLR3410

Transistor canal N IRLR3410, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: résistance à l'état passant ultra faible, commutation rapide. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.03€

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IRLZ24N

Transistor canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.05€

Quantité en stock: 149

IRLZ24NPBF

Transistor canal N IRLZ24NPBF, TO220AB, 55V, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 480pF. Charge: 10nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Courant de drain: 18A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRLZ24NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 45W. RoHS: non. Résistance thermique du boîtier: 3.3K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.1 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.77€

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MTP3055VL

Transistor canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 410pF. C (out): 114pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 45A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor à commande de porte par niveau logique. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 55.7 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.44€

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P75N02LD

Transistor canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 170A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.46€

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PSMN013-100BS-118

Transistor canal N PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. Id (T=100°C): 47A. Id (T=25°C): 68A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 13.9m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK (SOT404). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3195pF. C (out): 221pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: commutation standard. Id(imp): 272A. Idss (min): 0.06uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

2.25€

Quantité en stock: 54

SI4800BDY-T1-E3

Transistor canal N SI4800BDY-T1-E3, 5A, 6.5A, 5uA, 0.0155 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0155 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Fonction: Commutation rapide, MOSFET de puissance. Id(imp): 40Ap. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4800B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V...

1.29€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 59

STD7NM60N

Transistor canal N STD7NM60N, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.84 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 363pF. C (out): 24.6pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 7NM60N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 213 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.33€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 115

STGF10NB60SD

Transistor canal N STGF10NB60SD, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 610pF. C (out): 65pF. Courant de collecteur: 20A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: variateur de lumière, relais statique, pilote de moteur. Ic(puls): 100A. Marquage sur le boîtier: GF10NB60SD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: faible chute de tension (VCE(sat)). Td(off): 1.2 ns. Td(on): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.35V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N...

2.95€

Quantité en stock: 45

STP16NF06

Transistor canal N STP16NF06, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 315pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Capacité dv/dt exceptionnelle, faible charge de grille. Id(imp): 64A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P16NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Td(off): 7 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.00€

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