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2SK2828

Transistor canal N 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 700V. C (in): 1850pF. C (out): 400pF. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 48A. Idss (min): na. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 175W. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 140 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET canal N. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Trr Diode (Min.): 2.5us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.22€

Quantité en stock: 42

2SK2842

Transistor canal N 2SK2842, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2040pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Idss (min): na. Marquage sur le boîtier: K2842. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 180 ns. Td(on): 58 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT.MOSV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.71€

Quantité en stock: 16

2SK2843

Transistor canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10R1B ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 2040pF. C (out): 230pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 40A. Idss (min): na. Marquage sur le boîtier: K2843. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 190 ns. Td(on): 58 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT.MOSV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.61€

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Quantité en stock: 11

2SK2850

Transistor canal N 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 1.87 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 950pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Température de fonctionnement: -...+150°. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

10.14€

Produit obsolète
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2SK2937

Transistor canal N 2SK2937, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO–220FM. Tension Vds(max): 60V. C (in): 740pF. C (out): 380pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

4.95€

Quantité en stock: 2

2SK2968

Transistor canal N 2SK2968, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 1.05 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2150pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Convertisseur DC-DC, relais et variateur de moteur. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Température: +150°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

13.34€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 1

2SK3053

Transistor canal N 2SK3053, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 12.5A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 790pF. C (out): 240pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Id(imp): 75A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

10.92€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 35

2SK3065

Transistor canal N 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( MTP3 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 160pF. C (out): 85pF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: KE. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS KE. RoHS: oui. Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V...

0.76€

Quantité en stock: 140

2SK3114

Transistor canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 550pF. C (out): 115pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: MOSFET de commutation de puissance, utilisation industrielle. Id(imp): 16A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1.3us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.20€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 2

2SK3176

Transistor canal N 2SK3176, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 200V. C (in): 5400pF. C (out): 1900pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: régulateur à découpage, convertisseur DC-DC, pilote de moteur. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 190 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS-V. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

7.40€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 42

2SK3199

Transistor canal N 2SK3199, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F-3L. Tension Vds(max): 500V. C (in): 650pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Equivalences: FS5KM-10-AW. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. Idss (min): 0.1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 2us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

6.36€

Produit obsolète
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Equivalence disponible

2SK3264-01MR

Transistor canal N 2SK3264-01MR, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 7A. Résistance passante Rds On: 1.62 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power. Id(imp): 28A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: SILICON POWER MOS-FET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

9.84€

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Quantité en stock: 1

2SK3502-01MR

Transistor canal N 2SK3502-01MR, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1200pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 40A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Panasonic--B1CERR000022. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 0.75us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

12.52€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 1

2SK3528-01R

Transistor canal N 2SK3528-01R, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Id (T=25°C): 21A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2280pF. C (out): 290pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 84A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 78 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 0.7us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

9.28€

Quantité en stock: 1

2SK3530-01MR

Transistor canal N 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.46 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 740pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 2.3 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

17.61€

Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible

2SK3561

Transistor canal N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 32A. Marquage sur le boîtier: K3561. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.62€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 35

2SK3562

Transistor canal N 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 6A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K3562. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.25€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 74

2SK3563

Transistor canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 550pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K3563. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.73€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 59

2SK3564

Transistor canal N 2SK3564, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 75pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 9A. Marquage sur le boîtier: K3564. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 125 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.55€

Quantité en stock: 58

2SK3565

Transistor canal N 2SK3565, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1150pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 15A. Marquage sur le boîtier: K3565. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.77€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 60

2SK3566

Transistor canal N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 470pF. C (out): 50pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 7.5A. Marquage sur le boîtier: K3566. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 720 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.18€

Quantité en stock: 43

2SK3567

Transistor canal N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (maxi): 3.5A. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 14A. Marquage sur le boîtier: K3567. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.01€

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2SK3568

Transistor canal N 2SK3568, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 48A. Marquage sur le boîtier: K3568. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

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2SK3569

Transistor canal N 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67, 2-10U1B. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 40A. Marquage sur le boîtier: K3569. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 1.7g. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 180 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOSVI). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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