Transistor canal N 2SK3568, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor canal N 2SK3568, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.39€
5-24
2.15€
25-49
1.83€
50-99
1.65€
100+
1.43€
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Transistor canal N 2SK3568, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1500pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 48A. Marquage sur le boîtier: K3568. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK3568
29 paramètres
Id (T=100°C)
12A
Id (T=25°C)
12A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.4 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
500V
C (in)
1500pF
C (out)
180pF
Dissipation de puissance maxi
40W
Fonction
Alimentation à découpage (SMPS)
Id(imp)
48A
Marquage sur le boîtier
K3568
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
170 ns
Td(on)
50 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1200 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba