Transistor canal N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor canal N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.15€
5-24
1.86€
25-49
1.67€
50-99
1.55€
100+
1.38€
Quantité en stock: 45

Transistor canal N 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 470pF. C (out): 50pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 7.5A. Marquage sur le boîtier: K3566. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 720 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK3566
30 paramètres
Id (T=100°C)
2.5A
Id (T=25°C)
2.5A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
5.6 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
900V
C (in)
470pF
C (out)
50pF
Dissipation de puissance maxi
40W
Fonction
Alimentation à découpage (SMPS)
Id(imp)
7.5A
Marquage sur le boîtier
K3566
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
100 ns
Td(on)
60 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSIV)
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
720 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba