Rechercher "7-00-HC49"

Nous vous proposons une sélection de 160 produits pouvant correspondre à votre recherche de "7-00-HC49" (Transistors FET et MOSFET canal N)

<< Retour aux catégories proposées...

IRFR1205TRPBF

Transistor canal N IRFR1205TRPBF, D-PAK, TO-252, 55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 44A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR1205. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.3 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.42€

Quantité en stock: 1440

Quantité pour IRFR1205TRPBF Ajouter au panier

Update

IRFZ34NPBF

Transistor canal N IRFZ34NPBF, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFZ34NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

Quantité en stock: 301

Quantité pour IRFZ34NPBF Ajouter au panier

Update

IRL530NSTRLPBF

Transistor canal N IRL530NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L530NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.66€

Quantité en stock: 126

Quantité pour IRL530NSTRLPBF Ajouter au panier

Update

IRLL024NTRPBF

Transistor canal N IRLL024NTRPBF, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 510pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 18 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL024. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.01€

Quantité en stock: 1236

Quantité pour IRLL024NTRPBF Ajouter au panier

Update

IRLL2703PBF

Transistor canal N IRLL2703PBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€

Quantité en stock: 46

Quantité pour IRLL2703PBF Ajouter au panier

Update

IRLL2703TRPBF

Transistor canal N IRLL2703TRPBF, SOT-223, 30 v. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 6.9ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LL2703. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.4 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

2.07€

Quantité en stock: 2179

Quantité pour IRLL2703TRPBF Ajouter au panier

Update

IRLML2502TRPBF

Transistor canal N IRLML2502TRPBF, SOT-23, 20V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 1g. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V...

1.18€

+2417 rapidement
Quantité en stock: 11925

Quantité pour IRLML2502TRPBF Ajouter au panier

Update

IRLML2803

Transistor canal N IRLML2803, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. Id (T=100°C): 0.93A. Id (T=25°C): 1.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 85pF. C (out): 34pF. Dissipation de puissance maxi: 540mW. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 9 ns. Td(on): 3.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.33€

Quantité en stock: 43

Quantité pour IRLML2803 Ajouter au panier

Update

IRLR3410TRPBF

Transistor canal N IRLR3410TRPBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 97W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: LR3410. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.66€

Quantité en stock: 2429

Quantité pour IRLR3410TRPBF Ajouter au panier

Update

ISL9V5036P3

Transistor canal N ISL9V5036P3, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 390V. Conditionnement: tube en plastique. Courant de collecteur: 46A. Diode CE: non. Diode au Germanium: Suppresseur. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Marquage sur le boîtier: V5036P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Td(off): 10.8 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 1.3V. Tension grille - émetteur VGE: 10V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 50...

11.77€

Quantité en stock: 21

Quantité pour ISL9V5036P3 Ajouter au panier

Update

SI4410BDY-E3

Transistor canal N SI4410BDY-E3, SO8, MS-012, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI4410BDY. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.05€

Quantité en stock: 15

Quantité pour SI4410BDY-E3 Ajouter au panier

Update

SI4448DY-T1-E3

Transistor canal N SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 12V. C (in): 12350pF. C (out): 2775pF. Dissipation de puissance maxi: 7.8W. Fonction: Power MOSFET. Id(imp): 70A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(off): 240 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 84 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V...

0.95€

Quantité en stock: 100

Quantité pour SI4448DY-T1-E3 Ajouter au panier

Update

SKM100GAR123D

Transistor canal N SKM100GAR123D, 90A, autre, autre, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 5000pF. C (out): 720pF. Courant de collecteur: 100A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Fonction: IGBT haute puissance. Ic(puls): 150A. Montage/installation: -. Nombre de connexions: 7. Remarque: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). RoHS: oui. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

106.53€

En rupture de stock
Notification de stock

Update

SPA07N60C3XKSA1

Transistor canal N SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V. Boîtier: ITO-220 (PG-TO220FP). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Capacité de grille Ciss [pF]: 790pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 07N60C3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V...

3.79€

Quantité en stock: 85

Quantité pour SPA07N60C3XKSA1 Ajouter au panier

Update

SPP10N10

Transistor canal N SPP10N10, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 426pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 10N10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.10€

Quantité en stock: 35

Quantité pour SPP10N10 Ajouter au panier

Update

SQ2348ES-T1_GE3

Transistor canal N SQ2348ES-T1_GE3, SOT-23, MS-012, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.18€

Quantité en stock: 5853

Quantité pour SQ2348ES-T1_GE3 Ajouter au panier

Update

STF5NK100Z-ZENER

Transistor canal N STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F5NK100Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

7.10€

Quantité en stock: 782

Quantité pour STF5NK100Z-ZENER Ajouter au panier

Update

STP4NK50Z-ZENER

Transistor canal N STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 310pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P4NK50Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

1.18€

Quantité en stock: 111

Quantité pour STP4NK50Z-ZENER Ajouter au panier

Update

STP5NK100Z-ZENER

Transistor canal N STP5NK100Z-ZENER, TO-220AB, 1 kV. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P5NK100Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

3.36€

Quantité en stock: 45

Quantité pour STP5NK100Z-ZENER Ajouter au panier

Update

SUD15N06-90L

Transistor canal N SUD15N06-90L, 12A, 15A, 15A, 0.05 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 15A. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 37W. Id(imp): 30A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.56€

Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible

Update

TSM033NB04CR-RLG

Transistor canal N TSM033NB04CR-RLG, PDFN56, 40V. Boîtier: PDFN56. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5022pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 121A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

6.22€

Quantité en stock: 100

Quantité pour TSM033NB04CR-RLG Ajouter au panier

Update

2N7002DW

Transistor canal N 2N7002DW, 0.14A, 0.23A, 500uA, 3.2 Ohms, SOT-363 ( SC-88 ), 60V. Id (T=100°C): 0.14A. Id (T=25°C): 0.23A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 22pF. C (out): 11pF. Dissipation de puissance maxi: 400mW. Fonction: contrôle moteur, gestion de l'alimentation. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K72. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Td(off): 11 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.29€

+8266 rapidement
Quantité en stock: 326

Quantité pour 2N7002DW Ajouter au panier

Update

AO3407A

Transistor canal N AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4.1A. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 520pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.13€

Quantité en stock: 48

Quantité pour AO3407A Ajouter au panier

Update

AO3416

Transistor canal N AO3416, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 18M Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1160pF. C (out): 187pF. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Protection ESD. Td(off): 51.7 ns. Td(on): 6.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Trr Diode (Min.): 17.7 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V...

0.24€

Quantité en stock: 260

Quantité pour AO3416 Ajouter au panier

Update