Transistor canal N STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V

Transistor canal N STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V

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Transistor canal N STP4NK50Z-ZENER, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 310pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P4NK50Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:14

Documentation technique (PDF)
STP4NK50Z-ZENER
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
500V
Capacité de grille Ciss [pF]
310pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
3A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
2.7 Ohms @ 1.5A
Dissipation maximale Ptot [W]
45W
Délai de coupure tf[nsec.]
21 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
P4NK50Z
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
10 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4.5V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics