Recherche de produit: 7-00-HC49 - RPtronics. Page 4 sur 7

BSS123-ONS

Transistor canal N BSS123-ONS, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Equivalences: BSS123-7-F. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 680mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.6V...

0.0914€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 2944

BSS139H6327

Transistor canal N BSS139H6327, SOT-23, TO-236AB, 250V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 76pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.03A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: STs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.4V...

1.18€

Quantité en stock: 6000

BTS6142D

Transistor canal N BTS6142D, D-PAK/5, TO-252, 38V. Boîtier: D-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 38V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 600us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS6142D. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

8.35€

Quantité en stock: 3

CM200DY-24H

Transistor canal N CM200DY-24H, 200A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 40pF. C (out): 14pF. Courant de collecteur: 200A. Dimensions: 108x62x31mm. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 1500W. Fonction: Double transistor IGBT (isolé). Ic(puls): 400A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: commutation haute puissance. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

263.48€

Quantité en stock: 1

DF600R12IP4D

Transistor canal N DF600R12IP4D, 600A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 37pF. Courant de collecteur: 600A. Dimensions: 172x89x37mm. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 3350W. Fonction: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Ic(puls): 1200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 10. RoHS: oui. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

450.91€

Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 4

DMHC3025LSD-13

Transistor canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 590/631pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6A/-4.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Famille de composants: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Marquage du fabricant: C3025LS. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V/-2V...

1.18€

Quantité en stock: 4398

$FQT1N60CTF$

FQT1N60CTF

Transistor canal N FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 9.3 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 600V. C (in): 130pF. C (out): 19pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FQT1N60C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.75€

Quantité en stock: 22

FZ1200R12HP4

Transistor canal N FZ1200R12HP4, 1200A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 74pF. Courant de collecteur: 1790A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 7150W. Fonction: ICRM--Tp=1mS 2400A. Ic(puls): 2400A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 7. RoHS: non. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Td(off): 0.92 ns. Td(on): 0.41 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de seuil Vf (max): 2.35V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

669.76€

Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 8

IPB020N10N5LFATMA1

Transistor canal N IPB020N10N5LFATMA1, D²-PAK, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 60.4k Ohms. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Délai de coupure tf[nsec.]: 128 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V...

43.28€

Quantité en stock: 50

IRF620PBF

Transistor canal N IRF620PBF, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF620PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.24€

Quantité en stock: 77

IRF630NPBF

Transistor canal N IRF630NPBF, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 575pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF630N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.89€

Quantité en stock: 850

IRF7101PBF

Transistor canal N IRF7101PBF, SO8, 20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 320pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7101. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 29

IRF7201PBF

Transistor canal N IRF7201PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7201. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.18€

Quantité en stock: 56

IRF7343PBF

Transistor canal N IRF7343PBF, SO8, 55V/-55V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F7343. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.95€

Quantité en stock: 4

IRF7343TRPBF

Transistor canal N IRF7343TRPBF, SO8, -55V, 55V/-55V. Boîtier: SO8. Vdss (tension drain à source): -55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 3.4A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: F7343. Nombre de bornes: 8. Particularités: -. Polarité: MOSFET N+P. RoHS: oui. Série: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD...

2.95€

Quantité en stock: 6255

IRF7413PBF

Transistor canal N IRF7413PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7413. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.86€

Quantité en stock: 640

IRF7468PBF

Transistor canal N IRF7468PBF, SO8, 40V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2460pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7468. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.77€

Quantité en stock: 1

IRF7821PBF

Transistor canal N IRF7821PBF, SO8, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1010pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 13.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.7 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7821. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.3 ns. Température maxi: +155°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

1.84€

Quantité en stock: 548

IRFBF30PBF

Transistor canal N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBF30PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.66€

Quantité en stock: 147

IRFI520GPBF

Transistor canal N IRFI520GPBF, ITO-220AB, 100V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 4.3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 37W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFI520GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.19€

Quantité en stock: 45

IRFIBF30GPBF

Transistor canal N IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFIBF30GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

6.22€

Quantité en stock: 80

IRFL210

Transistor canal N IRFL210, 0.6A, 0.96A, 250uA, 1.5 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.6A. Id (T=25°C): 0.96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 140pF. C (out): 53pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Id(imp): 7.7A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: Fc. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS FC. RoHS: oui. Td(off): 14 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

0.78€

Quantité en stock: 51

IRFL4310PBF

Transistor canal N IRFL4310PBF, SOT-223, 100V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FL4310. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

Quantité en stock: 396

IRFPE50PBF

Transistor canal N IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms, TO-247AC HV.. Tension drain - source (Vds): 800V. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-247AC HV.. Courant de drain maxi: 7.8A. Puissance: 190W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

6.29€

Quantité en stock: 34

Rechercher "7-00-HC49"

BSS123-ONS

BSS139H6327

BTS6142D

CM200DY-24H

DF600R12IP4D

DMHC3025LSD-13

FQT1N60CTF

FZ1200R12HP4

IPB020N10N5LFATMA1

IRF620PBF

IRF630NPBF

IRF7101PBF

IRF7201PBF

IRF7343PBF

IRF7343TRPBF

IRF7413PBF

IRF7468PBF

IRF7821PBF

IRFBF30PBF

IRFI520GPBF

IRFIBF30GPBF

IRFL210

IRFL4310PBF

IRFPE50PBF