Transistor canal N DF600R12IP4D, 600A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 37pF. Courant de collecteur: 600A. Dimensions: 172x89x37mm. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 3350W. Fonction: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Ic(puls): 1200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 10. RoHS: oui. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:27