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SPP10N10

Transistor canal N SPP10N10, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 426pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 10N10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.10€

Quantité en stock: 35

SPP11N60C3

Transistor canal N SPP11N60C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1200pF. C (out): 390pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 11N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

3.95€

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SPP11N60S5

Transistor canal N SPP11N60S5, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1460pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 22A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: 11N60S5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 650ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3.5V...

4.76€

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SPP11N80C3

Transistor canal N SPP11N80C3, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 11A. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 156W. Fonction: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Cool Mos. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.30€

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SPP17N80C2

Transistor canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SPP17N80C2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.22€

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SPP17N80C3

Transistor canal N SPP17N80C3, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

8.68€

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SPP20N60C3

Transistor canal N SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 13.1A. Id (T=25°C): 20.7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): P-TO220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 2400pF. C (out): 780pF. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 20.7A. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 62.1A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 20N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 208W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 600V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

6.76€

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SPP20N60S5

Transistor canal N SPP20N60S5, TO-220, 600V, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, 650V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3000pF. C (out): 1170pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13A. Dissipation de puissance maxi: 208W. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Délai de coupure tf[nsec.]: 210 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.5uA. Marquage du fabricant: 20N60S5. Marquage sur le boîtier: 20N60S5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 4.5V...

7.59€

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SPP80N06S2L-11

Transistor canal N SPP80N06S2L-11, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2650pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 158W. Délai de coupure tf[nsec.]: 68 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 2N06L11. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.55€

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SPU04N60C3

Transistor canal N SPU04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V...

4.41€

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SPW11N80C3

Transistor canal N SPW11N80C3, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Dissipation de puissance maxi: 156W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V...

6.29€

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SPW17N80C3

Transistor canal N SPW17N80C3, 800V, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Courant de drain maxi: 17A. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 208W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

13.70€

+11 rapidement
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SPW20N60C3

Transistor canal N SPW20N60C3, TO-247, 650V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 20N60C3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V...

11.84€

Quantité en stock: 75

SQ2348ES-T1_GE3

Transistor canal N SQ2348ES-T1_GE3, SOT-23, MS-012, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.18€

Quantité en stock: 5853

SSS7N60A

Transistor canal N SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1150pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 415 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.66€

Quantité en stock: 16

STB120N4F6

Transistor canal N STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 3850pF. C (out): 650pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: applications de commutation, automobile. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 120N4F6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.77€

Quantité en stock: 293

STB12NM50N

Transistor canal N STB12NM50N, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Id (T=100°C): 6.8A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. C (in): 940pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

4.87€

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STB12NM50ND

Transistor canal N STB12NM50ND, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 550V. C (in): 850pF. C (out): 48pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: B12NM50ND. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (avec diode rapide). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 122 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

4.62€

Quantité en stock: 73

STD10NF10

Transistor canal N STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.115 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 470pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D10NF10. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.01€

Quantité en stock: 87

STD10NM60N

Transistor canal N STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 540pF. C (out): 44pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10NM60N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.10€

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STD3NK80Z-1

Transistor canal N STD3NK80Z-1, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 75. Vgs(th) min.: 3V...

1.29€

Quantité en stock: 97

STD3NK80ZT4

Transistor canal N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2000. Vgs(th) min.: 3V...

1.38€

Quantité en stock: 415

STD4NK50ZT4

Transistor canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 310pF. C (out): 49pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. Marquage sur le boîtier: D4NK50Z. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.35€

Quantité en stock: 1129

STD4NK60ZT4

Transistor canal N STD4NK60ZT4, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 510pF. C (out): 47pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Marquage sur le boîtier: D4NK60Z. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.33€

Quantité en stock: 481

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