Transistor canal N SPW17N80C3, 800V, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2320pF. C (out): 1250pF. Courant de drain maxi: 17A. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 17N80C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 208W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33