Transistor canal N SPP80N06S2L-11, TO-220AB, 55V

Transistor canal N SPP80N06S2L-11, TO-220AB, 55V

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Transistor canal N SPP80N06S2L-11, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2650pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 158W. Délai de coupure tf[nsec.]: 68 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 2N06L11. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:01

Documentation technique (PDF)
SPP80N06S2L-11
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
55V
Capacité de grille Ciss [pF]
2650pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
80A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.015 Ohms @ 40A
Dissipation maximale Ptot [W]
158W
Délai de coupure tf[nsec.]
68 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
2N06L11
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
13 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2V
Produit d'origine constructeur
Infineon