Transistor canal N SPP11N60S5, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1460pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 22A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: 11N60S5. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 650ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3.5V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33