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IXTQ460P2

Transistor canal N IXTQ460P2, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 270 milliOhms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2890pF. C (out): 280pF. Dissipation de puissance maxi: 480W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 50A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

8.91€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 38

IXTQ88N30P

Transistor canal N IXTQ88N30P, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Dissipation de puissance maxi: 600W. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

14.09€

Quantité en stock: 36

J112

Transistor canal N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Boîtier: TO-92. Idss (maxi): 5mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 Ammo-Pak. Tension Vds(max): 35V. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Courant de drain: 5mA. Courant de déclenchement: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Fonction: Up 4.5V. IGF: 50mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 50 Ohms. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille-source: -35V. Tension grille/source VGS (off) max.: 5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Type de canal: N. Type de conditionnement: -. Type de transistor: N-JFET...

0.45€

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MDF11N60TH

Transistor canal N MDF11N60TH, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1700pF. C (out): 184pF. Dissipation de puissance maxi: 49W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.80€

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MDF11N65B

Transistor canal N MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1650pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 49.6W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.08€

Quantité en stock: 12

MDF9N50TH

Transistor canal N MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 100pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 272 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.09€

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MDF9N60TH

Transistor canal N MDF9N60TH, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1160pF. C (out): 134pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: MDF9N60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 360ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

3.39€

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MLP2N06CL

Transistor canal N MLP2N06CL, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 6uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 62V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Electronique automobile. Idss (min): 0.6uA. Marquage sur le boîtier: L2N06CL. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: MOSFET HYBRID. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

2.09€

Quantité en stock: 41

MMBF170

Transistor canal N MMBF170, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MMBF170. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.38€

Quantité en stock: 6851

MMBF170LT1G

Transistor canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 6Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.27€

Quantité en stock: 8074

MMF60R360PTH

Transistor canal N MMF60R360PTH, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6.95A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 890pF. C (out): 670pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: étages d'alimentation PFC, applications de commutation, commande de moteur, convertisseurs DC/DC. Id(imp): 33A. Marquage sur le boîtier: 60R360P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 375 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.59€

Quantité en stock: 34

MMFTN138

Transistor canal N MMFTN138, SOT-23, 50V, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Vdss (tension drain à source): 50V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.22A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.22A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: JD. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température de fonctionnement: 150°C. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Tension grille/source Vgs (Max): ±20V. Type de montage: SMD. Vgs(th) (Max) @ Id: -...

0.16€

Quantité en stock: 1783

MTP3055VL

Transistor canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 410pF. C (out): 114pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 45A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor à commande de porte par niveau logique. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 55.7 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.44€

Quantité en stock: 16

MTW45N10E

Transistor canal N MTW45N10E, TO-247AE, 100V. Boîtier: TO-247AE. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MTW45N10E. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.14€

Quantité en stock: 34

MTY100N10E

Transistor canal N MTY100N10E, TO-264, 100V. Boîtier: TO-264. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

17.75€

Quantité en stock: 116

NDB6030L

Transistor canal N NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.55€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 65

NDP603AL

Transistor canal N NDP603AL, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 100A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.23€

Quantité en stock: 54

NDP7060

Transistor canal N NDP7060, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2960pF. C (out): 1130pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Id(imp): 225A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 54 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.18€

Quantité en stock: 73

NDS355AN

Transistor canal N NDS355AN, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Charge: 5nC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Courant de drain: 1.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET, logic level...

1.10€

+5 rapidement
Quantité en stock: 3047

NP82N055PUG

Transistor canal N NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 4.1m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): MP-25ZP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 6400pF. C (out): 465pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 142W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 82N055. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Transistor MOSFET. Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 900. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.66€

Quantité en stock: 38

NTD20N06L

Transistor canal N NTD20N06L, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.039 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 707pF. C (out): 224pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 20N6LG. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.71€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 65

NTD20N06LT4G

Transistor canal N NTD20N06LT4G, D-PAK, TO-252, 60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 20N06LG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.95€

Quantité en stock: 4622

NTD3055-094T4G

Transistor canal N NTD3055-094T4G, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.084 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 55094G. RoHS: oui. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.02€

Quantité en stock: 60

NTD3055-150T4G

Transistor canal N NTD3055-150T4G, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.122 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. Dissipation de puissance maxi: 29W. Fonction: ID pulse 27A/10us. Id(imp): 27A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 3150G. RoHS: oui. Technologie: Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

0.86€