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IRL3713STRLPBF

IRL3713STRLPBF

Transistor canal N IRL3713STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5890pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 260A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3713S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

6.51€
Quantité en stock: 164
IRL3803

IRL3803

Transistor canal N IRL3803, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 98A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

2.57€
Quantité en stock: 53
IRL3803PBF

IRL3803PBF

Transistor canal N IRL3803PBF, TO-220AB, 30V, 0.006 Ohms, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 30V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Commande: niveau logique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain maxi: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3803. Nombre de bornes: 3. Puissance: 200W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

3.91€
+9 rapidement
Quantité en stock: 328
IRL3803S

IRL3803S

Transistor canal N IRL3803S, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 470A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V...

2.94€
Quantité en stock: 31
IRL3803SPBF

IRL3803SPBF

Transistor canal N IRL3803SPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3803S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€
Quantité en stock: 512
IRL40SC228

IRL40SC228

Transistor canal N IRL40SC228, D²-PAK/7, 40V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 19680pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 360A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Dissipation maximale Ptot [W]: 416W. Délai de coupure tf[nsec.]: 222 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 7. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 67 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V...

14.80€
Quantité en stock: 98
IRL520NSPBF

IRL520NSPBF

Transistor canal N IRL520NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L520N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.36€
Quantité en stock: 151
IRL530N

IRL530N

Transistor canal N IRL530N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 800pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 79W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.06€
Quantité en stock: 40
IRL530NPBF

IRL530NPBF

Transistor canal N IRL530NPBF, TO-220AB, 100V, 0.10 Ohms, 100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Charge: 22.7nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain maxi: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Courant de drain: 17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 79W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL530NPBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 79W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 100M Ohms. Résistance thermique du boîtier: 1.9K/W. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de canal: N. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

1.77€
+10 rapidement
Quantité en stock: 1082
IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF

Transistor canal N IRL530NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 800 ns. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L530NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.66€
Quantité en stock: 126
IRL540N

IRL540N

Transistor canal N IRL540N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 94W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.59€
Quantité en stock: 169
IRL540NPBF

IRL540NPBF

Transistor canal N IRL540NPBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.044 Ohms, 100V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Charge: 49.3nC. Commande: niveau logique. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 36A. Courant de drain maxi: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Courant de drain: 36A. Dissipation de puissance maxi: 140W. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 36A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRL540N. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 140W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Tension grille/source Vgs (Max): -16V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level...

2.16€
+290 rapidement
Quantité en stock: 1520
IRL540NS

IRL540NS

Transistor canal N IRL540NS, 26A, 36A, 250uA, 0.044 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 26A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 1800pF. C (out): 350pF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.99€
Quantité en stock: 779
IRL540NSTRLPBF

IRL540NSTRLPBF

Transistor canal N IRL540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L540NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.26€
+1283 rapidement
Quantité en stock: 6400
IRL630

IRL630

Transistor canal N IRL630, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.64€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 34
IRL630A

IRL630A

Transistor canal N IRL630A, 5.7A, 9A, 9A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220A, 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220A. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 69W. Fonction: Niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.25€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 116
IRL640

IRL640

Transistor canal N IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 310 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.83€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 26
IRL640A

IRL640A

Transistor canal N IRL640A, 200V, 18A, 18A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Tension drain - source (Vds): 200V. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 18A. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Commande: niveau logique. Courant de drain maxi: 18A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: Niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.70€
+66 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 5
IRL640S

IRL640S

Transistor canal N IRL640S, SMD-220, 200V. Boîtier: SMD-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L640S. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.55€
Quantité en stock: 3
IRL640SPBF

IRL640SPBF

Transistor canal N IRL640SPBF, SMD-220, 200V. Boîtier: SMD-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L640S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.55€
Quantité en stock: 100
IRLB1304PTPBF

IRLB1304PTPBF

Transistor canal N IRLB1304PTPBF, 130A, 185A, 250uA, 0.004 Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 185A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.004 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7660pF. C (out): 2150pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 740A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: transistor HEXFET Power MOSFET, à commande par niveaux logiques. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

5.56€
Quantité en stock: 81
IRLB3034PBF

IRLB3034PBF

Transistor canal N IRLB3034PBF, 243A, 343A, 250uA, 1.4M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 243A. Id (T=25°C): 343A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.4M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 10315pF. C (out): 1980pF. Dissipation de puissance maxi: 375W. Fonction: Entraînement de moteur à courant continu, commutation de puissance à grande vitesse. Id(imp): 1372A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: commande par niveau logique. Td(off): 97 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

4.42€
Quantité en stock: 14