Transistor canal N IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Transistor canal N IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.80€
5-49
1.49€
50-99
1.33€
100+
1.18€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 26

Transistor canal N IRL640, 11A, 17A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1800pF. C (out): 480pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 310 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43

Documentation technique (PDF)
IRL640
30 paramètres
Id (T=100°C)
11A
Id (T=25°C)
17A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.18 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
200V
C (in)
1800pF
C (out)
480pF
Dissipation de puissance maxi
125W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
68A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
44 ns
Td(on)
8 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
10V
Trr Diode (Min.)
310 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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