Recherche de produit: transistor j107 - RPtronics. Page 29 sur 42

IRFP2907ZPBF

Transistor canal N IRFP2907ZPBF, TO-247AC, 75V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 7500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 90A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Dissipation maximale Ptot [W]: 310W. Délai de coupure tf[nsec.]: 97 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP2907ZPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.69€

Quantité en stock: 114

IRFP3006PBF

Transistor canal N IRFP3006PBF, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 375W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.58g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.41€

Quantité en stock: 29

IRFP31N50L

Transistor canal N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5000pF. C (out): 553pF. Dissipation de puissance maxi: 460W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 124A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

10.70€

Quantité en stock: 28

IRFP3206

Transistor canal N IRFP3206, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 6540pF. C (out): 720pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 840A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

3.98€

Quantité en stock: 61

IRFP3415PBF

Transistor canal N IRFP3415PBF, TO-247AC, 150V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 150V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 43A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 72 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP3415PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.28€

Quantité en stock: 58

IRFP350

Transistor canal N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 2600pF. C (out): 660pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: transistor MOSFET N. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.38€

Quantité en stock: 19

IRFP350PBF

Transistor canal N IRFP350PBF, TO-247AC, 400V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 87 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP350PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

6.51€

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IRFP360

Transistor canal N IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 4500pF. C (out): 1100pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Id(imp): 92A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.63€

Quantité en stock: 9

IRFP360LC

Transistor canal N IRFP360LC, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 3400pF. C (out): 540pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Id(imp): 91A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.41€

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IRFP360PBF

Transistor canal N IRFP360PBF, TO-247AC HV., 400V, 0.20 Ohms, 400V. Boîtier: TO-247AC HV.. Tension drain - source (Vds): 400V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 23A. Courant de drain maxi: 23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP360PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 280W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

7.10€

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IRFP3710

Transistor canal N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.14€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 9

IRFP3710PBF

Transistor canal N IRFP3710PBF, TO-247AC, 100V, 0.028 Ohms, 100V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 40A. Courant de drain maxi: 51A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP3710PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 180W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

4.73€

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IRFP4227

Transistor canal N IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.021 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.32€

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IRFP4229PBF

Transistor canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 5.8g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.22€

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IRFP4242

Transistor canal N IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.049 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 300V. C (in): 7370pF. C (out): 520pF. Dissipation de puissance maxi: 430W. Id(imp): 190A. Idss (min): 5uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Idm--190Ap.. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

11.86€

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Quantité en stock: 1

IRFP4332

Transistor canal N IRFP4332, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 5860pF. C (out): 530pF. Dissipation de puissance maxi: 360W. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 230A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Idm--230Ap. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.65€

Quantité en stock: 147

IRFP4468PBF

Transistor canal N IRFP4468PBF, TO-247AC, 100V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 19860pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 195A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Dissipation maximale Ptot [W]: 520W. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP4468PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 52 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

19.53€

Quantité en stock: 65

IRFP450

Transistor canal N IRFP450, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 420pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 92us. Td(on): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 540 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.32€

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IRFP450LC

Transistor canal N IRFP450LC, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 8.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2200pF. C (out): 320pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 580us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.67€

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IRFP450LCPBF

Transistor canal N IRFP450LCPBF, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP450LCPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

5.26€

Quantité en stock: 63

IRFP450PBF

Transistor canal N IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain maxi: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Dissipation de puissance maxi: 190W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 92 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 14A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP450PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Puissance: 180W. RoHS: oui. Série: IRFP. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

5.91€

Quantité en stock: 222

IRFP4568PBF

Transistor canal N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. Id (T=100°C): 121A. Id (T=25°C): 694A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 150V. C (in): 10470pF. C (out): 977pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 517W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 171A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 47 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

11.71€

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IRFP460

Transistor canal N IRFP460, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 4200pF. C (out): 870pF. Charge: 210nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 20A, 13A. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP460PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 280W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.27 Ohms. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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IRFP460APBF

Transistor canal N IRFP460APBF, TO-247, 500V, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3100pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Dissipation de puissance maxi: 280W. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRFP460APBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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