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IRFP250N

Transistor canal N IRFP250N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2159pF. C (out): 315pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 214W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 186 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.87€

Quantité en stock: 105

IRFP250PBF

Transistor canal N IRFP250PBF, TO247, 200V, 200V. Boîtier: TO247. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 33A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRFP250PBF. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT...

5.91€

Quantité en stock: 56

IRFP254PBF

Transistor canal N IRFP254PBF, TO-247AC, 250V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 74 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP254PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.86€

Quantité en stock: 82

IRFP260N

Transistor canal N IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4057pF. C (out): 603pF. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 200A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 5.57g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 268 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.78€

Quantité en stock: 92

IRFP260NPBF

Transistor canal N IRFP260NPBF, TO-247AC, 200V, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 200V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4057pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 50A. Courant de drain maxi: 46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP260NPBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 280W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

7.10€

+40 rapidement
Quantité en stock: 133

IRFP260PBF

Transistor canal N IRFP260PBF, TO-247AC, 200V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP260PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

10.06€

Quantité en stock: 97

IRFP264

Transistor canal N IRFP264, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 5400pF. C (out): 870pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: commutation rapide, dv/dt dynamique. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 110 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.69€

Quantité en stock: 16

IRFP27N60KPBF

Transistor canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4660pF. C (out): 460pF. Dissipation de puissance maxi: 500W. Fonction: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

9.89€

Quantité en stock: 13

IRFP2907

Transistor canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6M Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. Id (T=100°C): 148A. Id (T=25°C): 209A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 75V. C (in): 13000pF. C (out): 2100pF. Dissipation de puissance maxi: 470W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

7.11€

Quantité en stock: 63

IRFP2907PBF

Transistor canal N IRFP2907PBF, TO-247AC, 75V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 13000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 90A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Dissipation maximale Ptot [W]: 470W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP2907PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.88€

Quantité en stock: 76

IRFP2907ZPBF

Transistor canal N IRFP2907ZPBF, TO-247AC, 75V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 7500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 90A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Dissipation maximale Ptot [W]: 310W. Délai de coupure tf[nsec.]: 97 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP2907ZPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.69€

Quantité en stock: 114

IRFP3006PBF

Transistor canal N IRFP3006PBF, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. Id (T=100°C): 190A. Id (T=25°C): 270A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. C (in): 8970pF. C (out): 1020pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 375W. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.58g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 118 ns. Td(on): 16 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.41€

Quantité en stock: 29

IRFP31N50L

Transistor canal N IRFP31N50L, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5000pF. C (out): 553pF. Dissipation de puissance maxi: 460W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 124A. Idss (min): 50uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

10.70€

Quantité en stock: 28

IRFP3206

Transistor canal N IRFP3206, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 140A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 6540pF. C (out): 720pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 840A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

3.98€

Quantité en stock: 61

IRFP3415PBF

Transistor canal N IRFP3415PBF, TO-247AC, 150V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 150V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 43A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 72 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP3415PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

8.28€

Quantité en stock: 58

IRFP350

Transistor canal N IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 2600pF. C (out): 660pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: transistor MOSFET N. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.38€

Quantité en stock: 19

IRFP350PBF

Transistor canal N IRFP350PBF, TO-247AC, 400V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 87 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP350PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

6.51€

Quantité en stock: 123

IRFP360

Transistor canal N IRFP360, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 4500pF. C (out): 1100pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Id(imp): 92A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 100 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.63€

Quantité en stock: 9

IRFP360LC

Transistor canal N IRFP360LC, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 400V. C (in): 3400pF. C (out): 540pF. Dissipation de puissance maxi: 280W. Id(imp): 91A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.41€

Quantité en stock: 115

IRFP360PBF

Transistor canal N IRFP360PBF, TO-247AC HV., 400V, 0.20 Ohms, 400V. Boîtier: TO-247AC HV.. Tension drain - source (Vds): 400V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 23A. Courant de drain maxi: 23A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP360PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 280W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

7.10€

Quantité en stock: 85

IRFP3710

Transistor canal N IRFP3710, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.026 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.14€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 9

IRFP3710PBF

Transistor canal N IRFP3710PBF, TO-247AC, 100V, 0.028 Ohms, 100V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain - source (Vds): 100V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 40A. Courant de drain maxi: 51A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP3710PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 180W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

4.73€

+4 rapidement
Quantité en stock: 149

IRFP4227

Transistor canal N IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.021 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

5.32€

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IRFP4229PBF

Transistor canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 5.8g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 25. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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