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FQP50N06L

Transistor canal N FQP50N06L, TO-220, 60V, 37.1A, 52.4A, 10uA, 0.017 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 37.1A. Id (T=25°C): 52.4A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1250pF. C (out): 445pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1630pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 52.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Dissipation de puissance maxi: 121W. Dissipation maximale Ptot [W]: 121W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 210A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQP50N06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Niveau logique. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 65 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

1.88€

+309 rapidement
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FQP5N60C

Transistor canal N FQP5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'enhancement mode power field effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.50€

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FQP7N80

Transistor canal N FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1420pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.55€

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FQP7N80C

Transistor canal N FQP7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 27nC, faible Crss 10pF. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

2.49€

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FQP85N06

Transistor canal N FQP85N06, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 175 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.54€

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FQP9N90C

Transistor canal N FQP9N90C, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. Dissipation de puissance maxi: 205W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 45nC, faible Crss 14pF. Id(imp): 32A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: DMOS, QFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.77€

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FQPF10N20C

Transistor canal N FQPF10N20C, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9.5A. Idss (maxi): 9.5A. Résistance passante Rds On: 0.36 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 20nC, faible Crss 40.5pF. Id(imp): 38A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: DMOS, QFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.47€

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FQPF11N50CF

Transistor canal N FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1515pF. C (out): 185pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 43nC, faible Crss 20pF. Id(imp): 44A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 120ns. Td(on): 24 ns. Technologie: QFET ® FRFET ® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.58€

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FQPF19N20

Transistor canal N FQPF19N20, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 11.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1220pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

2.45€

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FQPF19N20C

Transistor canal N FQPF19N20C, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Dissipation de puissance maxi: 43W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v...

2.53€

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FQPF20N06L

Transistor canal N FQPF20N06L, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 11.1A. Id (T=25°C): 15.7A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Id(imp): 62.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 1V...

1.84€

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FQPF3N80C

Transistor canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 543pF. C (out): 54pF. Dissipation de puissance maxi: 39W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 13nC, faible Crss 5.5pF. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 642 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.97€

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FQPF4N90C

Transistor canal N FQPF4N90C, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 740pF. C (out): 65pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 47W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

2.02€

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FQPF5N50C

Transistor canal N FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 480pF. C (out): 80pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 18nC, faible Crss 15pF. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 263 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.60€

Quantité en stock: 60

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FQPF5N60C

Transistor canal N FQPF5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 33W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.30€

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FQPF7N80C

Transistor canal N FQPF7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 56W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (40nC typique), Low Crss 10pF. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

5.11€

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FQPF85N06

Transistor canal N FQPF85N06, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Id(imp): 212A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 170 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

3.15€

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FQPF8N60C

Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 965pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1255pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 12pF. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQPF8N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 45 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 365ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.23€

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FQPF8N80C

Transistor canal N FQPF8N80C, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 955pF. C (out): 100pF. Date de production: 201432. Dissipation de puissance maxi: 59W. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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FQPF9N50CF

Transistor canal N FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 790pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 44W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FQPF9N90C

Transistor canal N FQPF9N90C, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 40nC, faible Crss 14pF. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

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FQT1N60CTF

Transistor canal N FQT1N60CTF, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 9.3 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 600V. C (in): 130pF. C (out): 19pF. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FQT1N60C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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FQT4N20LTF

Transistor canal N FQT4N20LTF, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.55A. Id (T=25°C): 0.85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 240pF. C (out): 36pF. Dissipation de puissance maxi: 2.2W. Id(imp): 3.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

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FQU20N06L

Transistor canal N FQU20N06L, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=100°C): 10.9A. Id (T=25°C): 17.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: Niveau logique. Id(imp): 68.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte (typ 9.5nC). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

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