Transistor MOSFET AP4511GD. Boîtier: DIP. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. Remarque: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Technologie: DIP-8. Type de canal: N-P. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:24