Transistor MOSFET AOP605. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Boîtier: DIP. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Marquage sur le boîtier: P605. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Type de canal: N-P. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:07