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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor MMBT5551

Transistor MMBT5551
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Transistor MMBT5551. Transistor. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 0.6A. Marquage sur le boîtier: G1. Equivalences: MMBT5551LT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: sérigraphie/code CMS G1 (3S Fairchild). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

Documentation technique

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