Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Taille mémoire: 64Kbit (8Kx8). Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Taille mémoire: 64Kbit (8Kx8). Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 2.7-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Taille mémoire: 64Kbit (8Kx8). Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Taille mémoire: 64Kbit (8Kx8). Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Particularités: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 2.7-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire. Nombre de connexions: 8. Entrées/sorties: Dual I/O, SPI. Type de mémoire: NOR Flash. Mémoire de stockage de programme: 1Mbit. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: Mémoire 'FLASH'. Alimentation électrique: 2.7...3.6V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8. Fréquence de fonctionnement: 80MHz. Température de fonctionnement: -40...85°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: FIFO. Famille de circuits mémoire: 72. Taille de la mémoire [octet]: 512x9-bit. Configuration de la mémoire: 512x9-bit. Signal d'horloge max (MHz): 35 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: 72. Taille de la mémoire [octet]: 32K x 9-bit. Configuration de la mémoire: 32K x 9-bit. Signal d'horloge max (MHz): 25 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: IS62C256AL. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-28. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 40 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 40s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: I/O-pin. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 60 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 60s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: bus série SPI. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Taille de la mémoire [octet]: 60 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 60s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: bus série SPI. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO28W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température industrielle. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-2