Circuit intégré mémoire DS1307Z-T-R

Circuit intégré mémoire DS1307Z-T-R. Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de mémoire: SRAM +RTC. Famille de circuits mémoire: DS13. Taille de la mémoire [octet]: 64 Byte. Configuration de la mémoire: 64x8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100kHz. Type d'interface: interface série, bus I2C. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Produit d'origine constructeur Dallas. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 07:25.