Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Marquage sur le boîtier: 2DC. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 8S1 ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 1.7...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.25V. Remarque: 1000000 Cycles (25°C, Page Mode, 3.3V). Remarque: fSCL--1.7V 400KHz, 2.5-5.5V 1MHz. Remarque: conserve les données pendant 40 ans

Circuit intégré mémoire. Fonction: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 8S1 ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 1.7...3.6V. Spec info: 64kx8bit I2C

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire EEPROM 16Kbit. Remarque: high speed clock. Remarque: 4.5V...5.5V max 20MHz. Remarque: 2.5V...5.5V max 10MHz. Remarque: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V. Spec info: 1.000.000 cycles d'écriture, rétention de données 100 ans

Circuit intégré mémoire. Fonction: OTP-EPROM. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Nombre de connexions: 28. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm)

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Marquage sur le boîtier: 93C46P. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: 24C164LI. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Remarque: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Remarque: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: 24C64F. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Remarque: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: 24C64F. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V. Remarque: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable

Circuit intégré mémoire. Remarque: SRAM. Série: CMOS

Circuit intégré mémoire. Tension d'alimentation: 5V. Fonction: mémoire RAM statique CMOS 2K x 8. Spec info: 120ns access time

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 11. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-32. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V. Remarque: CMOS basse consommation. Remarque: avec batterie de secours

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de mémoire: SRAM +RTC. Famille de circuits mémoire: DS13. Taille de la mémoire [octet]: 64 Byte. Configuration de la mémoire: 64x8-bit. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 100kHz. Type d'interface: interface série, bus I2C. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP16. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 16. Famille de circuits mémoire: DS24. Taille de la mémoire [octet]: 4 Kbit. Configuration de la mémoire: 16x256-bit. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus série. Type d'interface: interface série, '1-Wire / 3-wire'. Tension d'alimentation mini (V): +2.8V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Famille de circuits mémoire: DS24. Taille de la mémoire [octet]: 4 Kbit. Configuration de la mémoire: 16x256-bit. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus série. Type d'interface: interface série, '1-Wire / 3-wire'. Tension d'alimentation mini (V): +2.8V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG TXT. Remarque: CMOS S-RAM. Boîtier: DIP

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire. Nombre de connexions: 8. Type de mémoire: NOR Flash. Mémoire de stockage de programme: 1Mbit. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: Mémoire 'FLASH'. Alimentation électrique: 2.7...3.6V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8. Fréquence de fonctionnement: 80MHz. Température de fonctionnement: -40...85°C. Entrées/sorties: Dual I/O, SPI

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: FIFO. Famille de circuits mémoire: 72. Taille de la mémoire [octet]: 512x9-bit. Configuration de la mémoire: 512x9-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 35 ns. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: 72. Taille de la mémoire [octet]: 32K x 9-bit. Configuration de la mémoire: 32K x 9-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 25 ns. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: IS62C256AL. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-28. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 32 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 32s. Type d'interface: I/O-pin. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V