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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IXFK34N80

Transistor IXFK34N80
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2 - 2 21.21€ 25.45€
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5 - 9 18.97€ 22.76€
10 - 14 18.53€ 22.24€
15 - 19 18.08€ 21.70€
20 - 40 17.41€ 20.89€
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Transistor IXFK34N80. Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 560W. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 23:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 560W. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: PLUS247. Boîtier (selon fiche technique): PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non
IXFX34N80
Transistor. C (in): 7500pF. C (out): 920pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. Id (T=25°C): 34A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 560W. Résistance passante Rds On: 0.24 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: PLUS247. Boîtier (selon fiche technique): PLUS-247 (TO247 sans trou de fixation). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non
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