Transistor GT30J324

Transistor GT30J324. Transistor. C (in): 4650pF. Type de canal: N. Fonction: Applications de commutation haute puissance. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 60A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.