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Transistor IRFI630G

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Transistor IRFI630G. Transistor. C (in): 800pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFI630G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 9.4 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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