Transistor MJ11016G

Transistor MJ11016G. Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 4pF. C (out): TO-204AA. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): +200°C. Remarque: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11015. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.