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Semi-conducteurs Transistors

Transistor FJP13009H2

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Transistor FJP13009H2. Transistor. C (out): 180pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009-2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.

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