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Fairchild

Transistor IGBT 600V 20A HGTG20N60A4D

Référence produit : HGTG20N60A4D
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)600V
Courant collecteur (Ic)20A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))1.8V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5V (typ.)

Description technique du produit (HGTG20N60A4D):

Transistor IGBT 600V 20A HGTG20N60A4D. Transistor IGBT de puissance à commutation rapide avec diode de roue libre intégrée, conçu pour les applications de commutation à haute fréquence.