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Fairchild
Transistor IGBT 600V 30A HGTG30N60A4D
Référence produit : HGTG30N60A4D
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 12.78 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 600V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 30A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ.) |
| Boîtier | TO-247 |
Description technique du produit (HGTG30N60A4D):
Transistor IGBT 600V 30A HGTG30N60A4D. Le HGTG30N60A4D est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de type N, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il intègre une diode de roue libre ultra-rapide co-packagée, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs et les onduleurs.