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Taiwan Semiconductor

Diode Schottky 150V 20A MBR10150CT

Référence produit : MBR10150CT
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)150V
Courant direct (If)20A (total)
Tension directe (Vf)0.85V @ 10A
Courant de crête non répétitif (Ifsm)120A

Description technique du produit (MBR10150CT):

Diode Schottky 150V 20A MBR10150CT. Diode Schottky de redressement double, à cathode commune, conçue pour des applications de redressement à haute fréquence et de faible perte.