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Taiwan Semiconductor

Diode Schottky 200V 20A MBR10200CT

Référence produit : MBR10200CT
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)200V
Courant direct (Io)20A
Tension directe (Vf)0.85V @ 10A, 125°C
Courant de crête non répétitif (Ifsm)150A
Courant de fuite (Ir)0.1mA @ 200V, 25°C

Description technique du produit (MBR10200CT):

Diode Schottky 200V 20A MBR10200CT. Diode de redressement Schottky double, à cathode commune, conçue pour les applications de redressement haute fréquence et les alimentations à découpage. Offre une faible chute de tension directe et un temps de recouvrement inverse très rapide.