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ON Semiconductor
Diode rapide 200V 1A MURS120T3G
Référence produit : MURS120T3G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 199 | 0.23 € | — |
| 200+Meilleur prix | 0.22 € | -4% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension inverse de crête (Vrrm) | 200V |
| Courant direct (If) | 1A |
| Tension directe (Vf) | 0.87V |
| Temps de recouvrement (trr) | 25ns |
| Courant de crête non répétitif (Ifsm) | 30A |
| Courant de fuite (Ir) | 5µA |
Description technique du produit (MURS120T3G):
Diode rapide 200V 1A MURS120T3G. Diode de redressement ultra-rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Idéale pour les alimentations à découpage et les convertisseurs DC-DC.
