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ON Semiconductor

Diode rapide 600V 1A MURS160T3G

Référence produit : MURS160T3G
Quantité en stock : 1890 pièces disponibles
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension inverse de crête (Vrrm)600V
Courant direct (If)1A
Tension directe (Vf)1.25V @ 1A
Temps de recouvrement (trr)25ns
Courant de crête non répétitif (Ifsm)30A

Description technique du produit (MURS160T3G):

Diode rapide 600V 1A MURS160T3G. Diode de redressement ultra-rapide conçue pour les applications nécessitant une commutation rapide et une faible perte de puissance. Idéale pour les alimentations à découpage et les convertisseurs.