Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.29€ | 1.55€ |
2 - 2 | 1.23€ | 1.48€ |
3 - 4 | 1.16€ | 1.39€ |
5 - 9 | 1.14€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.10€ | 1.32€ |
25 - 49 | 0.97€ | 1.16€ |
50 - 81 | 0.92€ | 1.10€ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.29€ | 1.55€ |
2 - 2 | 1.23€ | 1.48€ |
3 - 4 | 1.16€ | 1.39€ |
5 - 9 | 1.14€ | 1.37€ |
10 - 24 | 1.10€ | 1.32€ |
25 - 49 | 0.97€ | 1.16€ |
50 - 81 | 0.92€ | 1.10€ |
Diode, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V, 3A, 200A - 1N5408. Diode, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V, 3A, 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Produit d'origine constructeur Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 15:25.
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