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Diode 6A100G-R0G

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Diode 6A100G-R0G. Diode. Cj: 60pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 6A. IFSM: 250A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A10. Equivalences: 6A100G-R0G. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x7.2mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

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