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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 200V - 1N5402

Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 200V - 1N5402
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Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 200V - 1N5402. Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 200V. RoHS: oui. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Produit d'origine constructeur Diotec. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 17:25.

Documentation technique

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Diode, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V, 3A, 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Diode, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V, 3A, 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement standard. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 200A. Tension directe Vfmax (V): 1.2V @ 3A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
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