Transistor BD250C-ISC
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.32€ | 2.78€ |
| 5 - 9 | 2.20€ | 2.64€ |
| 10 - 13 | 2.09€ | 2.51€ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.32€ | 2.78€ |
| 5 - 9 | 2.20€ | 2.64€ |
| 10 - 13 | 2.09€ | 2.51€ |
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Transistor BD250C-ISC. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 25A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
Produits équivalents :
TIP36C
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JED...
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): 45pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP33C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 50A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP35C
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): 45pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP33C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 50A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP35C
BD250C
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de co...
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non
Nous vous recommandons aussi :
BD249C
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BD245C-PMC
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2N3442-PMC
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Courant de ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MPSA56
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE mini: 100. Co...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2SA1294-SKN
Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 M...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BD241C
Transistor. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tensi...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BD442
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JED...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJL1302A
Transistor. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quant...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2N1711
Transistor. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70MHz...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
AP4511GD
Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.