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Transistor BD249C. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 40A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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