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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET canal P -60V -13A YJD13P06AJ
Référence produit : YJD13P06AJ
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 19 | 0.72 € | — |
| 20 – 49 | 0.43 € | -40% |
| 50 – 99 | 0.38 € | -47% |
| 100 – 199 | 0.36 € | -50% |
| 200 – 499 | 0.34 € | -53% |
| 500 – 2499 | 0.32 € | -56% |
| 2500+Meilleur prix | 0.32 € | -56% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -60V |
| Courant de drain continu | -13A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 150 mΩ max à Vgs=-10V, Id=-6.5A |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -2.0V à -4.0V |
| Charge de grille (Qg) | 20 nC typ. |
Description technique du produit (YJD13P06AJ):
Transistor MOSFET canal P -60V -13A YJD13P06AJ. Transistor MOSFET de puissance à canal P, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.