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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 60V 150A YJB150N06C
Référence produit : YJB150N06C
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.79 € | — |
| 5 – 19 | 1.43 € | -20% |
| 20 – 29 | 1.27 € | -29% |
| 30 – 99 | 1.15 € | -36% |
| 100 – 299 | 1.07 € | -40% |
| 300 – 799 | 1.02 € | -43% |
| 800+Meilleur prix | 1.02 € | -43% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain (Id) | 150A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 3.5 mΩ (typ.) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2.5V (typ.) |
| Charge de grille (Qg) | 120 nC (typ.) |
Description technique du produit (YJB150N06C):
Transistor MOSFET Canal N 60V 150A YJB150N06C. Transistor MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation à haute efficacité.