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Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 100V 180A YJN180G10HJ
Référence produit : YJN180G10HJ
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 4.21 € | — |
| 5 – 9 | 3.68 € | -13% |
| 10 – 19 | 3.40 € | -19% |
| 20 – 24 | 3.13 € | -26% |
| 25 – 49 | 2.93 € | -30% |
| 50+Meilleur prix | 2.84 € | -33% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 100V |
| Courant de drain continu | 180A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 5 mΩ (typ.) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V - 4V |
| Charge de grille (Qg) | 100 nC (typ.) |
Description technique du produit (YJN180G10HJ):
Transistor MOSFET Canal N 100V 180A YJN180G10HJ. Le YJN180G10HJ est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute efficacité. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les contrôleurs de moteur.